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SK海力士宣布，已開始量產238層4DNAND閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。
晶體管尺寸微縮遇到物理極限，現已面臨瓶頸，達到發展極限。為了在維持性能的情況下實現容量提升，3DNAND成為發展主流。
華西證券指出，隨著3DNAND技術節點的升級，即堆疊層數的增加，刻蝕設備用量需求會有明顯地變化。3D存儲的發展大量激發刻蝕設備需求，存儲應用中，刻蝕設備和薄膜沉積設備已成為最核心設備。
利好板塊：半導體刻蝕設備
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